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8.jpg 图8:aimw120r060m1hxksa1(图源:英飞凌) aimw120r060m1hxksa1专为满足汽车行业对、性、和性能的高要求而设计


而接下来,我们将通过英飞凌另一款器件来介绍,sic技术同样是一种提升器件功率密度的路线 图8是一款英飞凌汽车用1200v sic沟槽式mosfet新品,贸泽电子的供应商器件编号为aimw120r060m1hxksa1 与此同时,受益于英飞凌coolsic mosfet技术,这款器件不仅本身具有更高的功率密度,同时在系统方案方面,能够帮助方案符合新法规对电动汽车更高能效的要求

在此提一下英飞凌对于基准栅极阈值电压vgs(th)的调整,为了防止器件出现误导通,英飞凌将vgs(th)重新设计在大于4v之上,从而降低了噪音带来的“误导通” aimw120r060m1hxksa1的v为4.5v aimw120r060m1hxksa1潜在的应用包括车载充电器pfc、升压直流-直流转换器以及辅助逆变器


为了方便朋友从传统的si igbt应用顺利切换到sic mosfet,这款器件提供了和igbt驱动相兼容的电压(导通电压为18v),让方案升级更容易 以辅助逆变器应用为例,在汽车eps(电动助力转向)应用中,可以通过辅助逆变器来控制所需要的电动机
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