近日，国内对半导体材料 氧化镓的研发迎来了新的突破 据 浙大杭州科创中心
消息，该中心半导体研究院发明了全新的熔体法技术路线来研制氧化镓体块单晶以及晶圆，目前已经成功制备直径2英寸（50.8mm）的氧化镓晶圆 国际！浙大开发新技术成功制备2英寸氧化镓晶圆 浙江大学杭州国际科创中心介绍称，使用这种具有完全自主技术生长的2英寸氧化镓晶圆在国际尚属#
浙大科创中心研发团队张辉教授介绍，使用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个优势： 一是使用这种方法生长出的氧化镓晶圆的晶有特，使得制作的功率器件具有较好的性能 二是由于采用了熔体法新路线，减少了铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也，具有的产业化前景
经检测，科创中心采用新技术路线研制出的这批氧化镓晶圆的导电类型为半绝缘型，直径尺寸达到50.8plusmn 0.5mm，表面粗糙度小于0.5nm，光学透过率，高分辨x射线摇摆曲线测试半高宽小于100弧秒，衍射峰均匀对称，单晶较好，关键技术指标已达领域内的水平
氧化镓行业前景广阔，多国争抢15亿美元市场 当前，以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体材料迅速发展，但不容忽视的是，以氧化镓和锑化镓为主的半导体材料也正在逐渐走进人们的视野 据悉，使用氧化镓制作的半导体器件可以实现更耐高压、更小体积、损耗，可以有效降低新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域在能源方面的消耗
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